投入式、直桿式、法蘭式、螺紋式、電感式、旋入式、浮球式結構設計，備有防阻塞型設計，安裝簡單，使用方便、互換能力強，高品質傳感器的靈敏度高，響應速度快，準確反映流動或靜態(tài)液面的細微變化，測量準確度高。

　　引進*技術和設備生產的新型變送器，關鍵原材料，元器件和零部件均源自進口，整機經過嚴格組裝和測試，該產品具有設計原理*、品種規(guī)格齊全、安裝使用簡便等特點。

　　投入式液位變送器采用高性能的擴散硅壓阻式壓力傳感器作為測量元件，經過高可靠性的放大處理電路及精密溫度補償，將被測介質的表壓或絕壓轉換為標準的電壓或電流信號。本產品體積小巧，使用安裝方便，直接投入水中到液面的液位高度。

　　特點：采用*電路處理技術，性能穩(wěn)定、高靈敏度；多種量程，最大可測200m(水柱壓力)；采用316L不銹鋼隔離膜片，適用于多種測量介質；配置靈活，根據需要可選擇不同配置。

　　應用：工業(yè)現(xiàn)場液位測量與控制、城市供水及污水處理石油、化工、電廠、水文監(jiān)測、水庫、大壩、水電建設等領域的液位的測量與控制。

　　產品特點：具有反向極性和限流保護；激光調阻溫度補償，零點、量程可現(xiàn)場調節(jié)；范圍寬抗腐蝕，適于多種介質；過載及抗干擾能力強，性能穩(wěn)定。

　　結構材料：隔離膜片：316不銹鋼波紋膜片 傳感器外殼：1Gr18Ni9Ti不銹鋼

　　電 纜：φ8聚氯乙烯六芯空心電纜（防腐型為聚四氟乙烯電纜） 中 繼 箱：97×84×147環(huán)氧樹脂噴涂 過程連接： 投入式：直角支架孔距50×50mm

　　孔徑φ5mm。

　　直桿式：無螺紋或螺紋自選。

　　螺紋式：M27×2 M20×1.5或螺紋自選

　　法蘭式：DN25或用戶自選。

　　防腐式：直角支架孔距50×50mm,

　　孔徑φ5mm六、

　　UQZ-17LX型工作原理是當被測介質的兩種壓力通入高、低兩壓力室，作用在δ元件(即敏感元件)的兩側隔離膜片上，通過隔離片和元件內的填充液傳送到測量膜片兩側。

　　 UQZ-17LX型（浮球）是由測量膜片與兩側絕緣片上的電極各組成一個電容器。 當兩側壓力不一致時，致使測量膜片產生位移，其位移量和壓力差成正比，故兩側電容量就不等，通過振蕩和解調環(huán)節(jié)，轉換成與壓力成正比的信號。壓力變送器和絕對壓力變送器的工作原理和差壓變送器相同，所不同的是低壓室壓力是大氣壓或真空。

　　A/D轉換器將解調器的電流轉換成數(shù)字信號，其值被微處理器用來判定輸入壓力值。微處理器控制變送器的工作。另外，它進行傳感器線性化。重置測量范圍。工程單位換算、阻尼、開方，，傳感器微調等運算，以及診斷和數(shù)字通信。

　　本微處理器中有16字節(jié)程序的RAM，并有三個16位計數(shù)器，其中之一執(zhí)行A /D轉換。

　　D/A轉換器把微處理器來的并經校正過的數(shù)字信號微調數(shù)據，這些數(shù)據可用變送器軟件修改。數(shù)據貯存在EEPROM內，即使斷電也保存完整。

　　數(shù)字通信線路為變送器提供一個與外部設備(如205型智能通信器或采用HART協(xié)議的控制系統(tǒng))的連接接口。此線路檢測疊加在4-20mA信號的數(shù)字信號，并通過回路傳送所需信息。通信的類型為移頻鍵控FSK技術并依據BeII202標準。

　　它可將各種物位參數(shù)的變化轉換成標準電流信號，遠傳至操作控制室，供二次儀表或計算機進行集中顯示、報警或自動控制。其良好的結構及安裝方式，可適用于 高溫、高壓、 強腐蝕、易結晶、防堵塞、防冷結以及 固體粉狀、粒狀物料等特殊條件下的液位，料位或物位的連續(xù)檢測，可廣泛應用于各種工業(yè)過程中的檢測控制。

　　特點：

　　結構簡單：無任何可動或彈性元件，因此可靠性*，維護量極少。

　　安裝方便：內裝式結構尤其顯示出這一特點，無需任何專用工具。

　　調整方便：零位、量程兩個電位器可在液位檢測有效范圍內任意進行零點遷移或量程的改變，兩個調整互不影響。

　　用途廣泛；適用于高溫高壓、強腐蝕等介質的液位測量。

　　主要技術指標

　　有效檢測范圍：0-0.2-20m

　　精 度：0.5級、1級、1.5級

　　承壓范圍：負壓、常壓、高壓(32MPa以下)

　　工作溫度：-50～240℃

　　環(huán)境溫度：-20～75℃

　　適用介質：酸、堿、鹽或對聚四氟乙烯無腐蝕的任意介質

　　輸出信號：4-20mA、二線制

　　供電電源：負載電阻 0-750Ω DC24V

　　固定方式：螺紋安裝M20×1.5、M27×2 法蘭安裝DN15、DN25、DN50、DN80

　　現(xiàn)場顯示：模擬顯示0-100%、數(shù)字顯示、現(xiàn)場深度